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本发明提供一种能够通过将发光元件的发光层中的单重激发态（S1）的生成几率设定为理论值（25％）以上而提高发光效率的发光元件。在发光元件的发光层中，由第一有机化合物和第二有机化合物形成激基复合物（exciplex），与形成激基复合物之前的各物...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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