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本发明公开了一种带有防止金属扩散保护层的复合衬底，包括一熔点大于1000℃的导热导电层和位于该导热导电层上的GaN单晶层，至少在复合衬底的侧壁包裹有防止金属扩散的保护层。本发明的复合衬底既兼顾了GaN外延所需要的同质外延，提高了晶体质量，又...
该专利属于东莞市中镓半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市中镓半导体科技有限公司授权不得商用。

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