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一种GaN基功率型发光二极管及其制备方法技术
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文档序号:9669904
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本申请提供一种GaN基功率型发光二极管,包括衬底、依次制备在所述衬底上的缓冲层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓和透明电流扩展层,所述n型氮化镓连接n型金属电极,所述透明电流扩展层连接p型金属电极,所述发光二极管的最上层还具有钝化保护层,所述...
该专利属于广东量晶光电科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过广东量晶光电科技有限公司授权不得商用。
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