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本发明公开了一种沟槽结构电荷补偿肖特基半导体装置，通过沟槽结构引入电荷补偿结构，当半导体装置接一定的反向偏压时，第一导电半导体材料与沟槽内外第二导电半导体材料可以形成电荷补偿，提高器件的反向阻断特性。本发明还提供了一种沟槽结构电荷补偿肖特基...
该专利属于朱江所有，仅供学习研究参考，未经过朱江授权不得商用。

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