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本发明公开了一种浮空电荷补偿MOS半导体装置，在MOS器件漂移层中设置了浮空相异导电类型的半导体材料，形成电荷补偿结构，从而降低器件的导通电阻和制造难度；本发明还提供了一种浮空电荷补偿MOS半导体装置的制备方法。...
该专利属于朱江所有，仅供学习研究参考，未经过朱江授权不得商用。

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