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本发明公开了一种平面栅型MOS管及其制造方法，包括：N型外延层或N型硅衬底中形成的P阱，P阱一侧的N型外延层或N型硅衬底中形成有N+注入层，P阱上部并列排布有多个彼此串联的MOS结构；所述MOS结构包括：形成在所述P阱上的栅氧化层，栅氧化层...
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