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本发明涉及半导体结构及其形成方法。提供了一种反熔丝结构，在该反熔丝结构中，在设置于互连电介质材料中的多个开口中的一个开口内嵌入反熔丝材料衬里。该反熔丝材料衬里位于同样存在于所述开口内的第一导电金属和第二导电金属之间。扩散阻挡衬里将所述第一导...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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