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本发明公开了一种基于nand?flash的高可靠线性文件存取方法,nand?flash包括sdram存储器,nvram非易失存储器和nand?flash存储阵列;存取方法包括以下步骤:初始化分区表;初始化文件信息,包括文件的始末地址、打开方...该专利属于中船重工(武汉)凌久电子有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过中船重工(武汉)凌久电子有限责任公司授权不得商用。
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本发明公开了一种基于nand?flash的高可靠线性文件存取方法,nand?flash包括sdram存储器,nvram非易失存储器和nand?flash存储阵列;存取方法包括以下步骤:初始化分区表;初始化文件信息,包括文件的始末地址、打开方...