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本发明涉及一种光刻方法，包括下列步骤：在晶圆上涂覆六甲基二硅胺烷；在所述晶圆上形成抗反射涂层并烘烤；在所述晶圆上涂覆光刻胶，所述光刻胶为正性光刻胶；对涂覆的光刻胶进行软烘；对所述涂覆的光刻胶进行曝光；对光刻胶进行曝光后烘烤；对曝光后的光刻胶...
该专利属于无锡华润上华半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司授权不得商用。

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