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一种自持硅纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。所述方法将含硅原料经过金属网和金属丝固定形成金属网覆盖的电极，然后将此电极置于600-1100°C的熔融盐中，对电极采用含碳电极，在惰性气氛或真空下施加1.7-2.5V的槽电压脱氧还...
该专利属于中国科学院大连化学物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院大连化学物理研究所授权不得商用。

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