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本实用新型公开的垂直型石墨烯LED芯片自下而上依次有背面金属层、衬底、第一键合金属层、第二键合金属层、p型电极、p型氮化镓层、多量子阱层、n型氮化镓层、n型电极，在衬底与背面金属层的界面有石墨烯层，或在衬底与第一键合金属层的界面有石墨烯层，...
该专利属于杭州格蓝丰纳米科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州格蓝丰纳米科技有限公司授权不得商用。

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