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本实用新型涉及一种过流保护芯片，包括一块作为基区的N型半导体衬底，在N型半导体衬底上部部分区域包括P型渗扩的成对的发射区，在每一块P型渗扩区上部部分区域包括N型渗扩的集电区，集电区表面设置导通孔，构成NPNPN型半导体结构，P型渗扩的成对的...
该专利属于上海芯导电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯导电子科技有限公司授权不得商用。

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