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一种制备VCSEL的方法，可以使用MBE进行：在第一镜区上生长第一导电区；在第一导电区上与第一镜区相对地生长有源区，所述有源区的生长包括：(a)生长具有In1-xGaxP(As)的量子阱势垒；(b)生长具有GaP、GaAsP或GaAs中的一...
该专利属于菲尼萨公司所有，仅供学习研究参考，未经过菲尼萨公司授权不得商用。

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