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本发明提供了一种结势垒肖特基二极管及其制备方法，该结势垒肖特基二极管包括由N型半导体构成的有源区，所述有源区内设置有多个P型掺杂区，所述P型掺杂区在所述有源区的分布呈点阵型结构分布，其中，任意两个相邻的P型掺杂区之间的距离相等，以致在相同有...
该专利属于株洲南车时代电气股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲南车时代电气股份有限公司授权不得商用。

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