温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种GaN基白光发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括衬底、在所述衬底正面依次生长的第一低温缓冲层、第一高温缓冲层、n型GaN层、第一量子阱发光层、p型GaN层、纳米铟锡金属氧化物层、n型电极、p型电极和...
该专利属于华灿光电(苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电(苏州）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。