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一种带有侧边多晶硅电极沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管，涉及双极晶体管。设有金属化集电极、P型集电极区、N-型漂移区、二氧化硅侧边多晶硅氧化层、侧边多晶硅电极、金属化侧边多晶硅电极、P+体区、金属化发射极、N+型源区、P型基区、金属化栅极、多晶...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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