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本发明公开了一种纳米印章的制备方法，包括如下步骤：（1）在基片上放置一层金属铬膜；（2）在金色铬膜上旋涂一层光刻胶；（3）用全息曝光法将图案掩膜转移到光刻胶上；（4）显影，然后用去铬液将光刻图案从光刻胶上转移到铬膜上；（5）用等离子体将多余...
该专利属于无锡英普林纳米科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡英普林纳米科技有限公司授权不得商用。

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