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本发明公开了一种铸造单晶硅锭的方法，还公开了一种铸造单晶硅锭的装置。本发明采用局部凝固方法得到初始晶核，采用诱导生长和转向生长和熔化初始晶核的方法得到籽晶，通过逐步扩大凝固区域，使籽晶长大并覆盖坩埚底部，最后让籽晶生长转变为定向凝固，从而制...
该专利属于西华大学所有，仅供学习研究参考，未经过西华大学授权不得商用。

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