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本发明涉及单晶铜，具体而言为涉及一种利用晶体的合并生长制备单晶铜带的方法。本发明利用多晶铜带在足够高的温度下能够逐渐合并长大，由于这种合并长大过程会将晶界区域逐渐集中到一起，而当晶界区域足够大或者两个足够大的晶体相遇时就会形成无法转变成单晶...
该专利属于江苏大学所有，仅供学习研究参考，未经过江苏大学授权不得商用。

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