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本发明公开了一种P型超结横向双扩散MOSFET器件，在N型衬底重掺杂区上具有N型外延漂移区；在N型外延漂移区中形成有元胞区和终端区；P型半绝缘柱区在元胞区和终端区中均具有多个P型半绝缘柱区；在所述P型半绝缘柱区底部和顶部分别有浓度高于P型半...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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