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本发明揭示了一种钨插塞的制作方法，包括：提供具有第一导电层的半导体基底并在所述半导体基底和第一导电层上形成金属层间介电层；在金属层间介电层中形成介质孔，介质孔的底部暴露出第一导电层的顶部；在金属层间介电层的整个表面和介质孔的底部及两侧壁表面...
该专利属于盛美半导体设备(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛美半导体设备(上海)有限公司授权不得商用。

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