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本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有开口的第一硬掩膜层；在所述半导体衬底和硬掩膜层上覆盖第二硬掩膜层；刻蚀所述第二硬掩膜层，剩余的第二硬掩膜层位于所述开口的侧壁上；以所述第一硬掩膜...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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