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本发明提供一种具有空气间隙的半导体器件的制造方法，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有沟槽的硬掩膜层；在所述硬掩膜层及沟槽表面覆盖侧墙薄膜；刻蚀所述侧墙薄膜，以在所述沟槽的侧壁上形成栅极侧墙；在所述硬掩膜层、栅极侧墙及沟槽表面覆盖牺牲...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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