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本发明提供一种提高氧化钨纳米材料薄膜场发射特性的原位等离子体辉光处理方法。该方法是将氧化钨纳米材料薄膜作为场发射结构的阴极，并放置于高真空测试腔中。首先在场发射结构的阴-栅或阴-阳极之间施加高电压实现场致电子发射，再将重原子质量的气体（例如...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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