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本发明公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的测试方法，包括以下步骤：对晶体管施加测试电压并向所述晶体管的漏极注入取样电流，得到所述晶体管漏极和源极之间的第一电压；改为注入测试电流，在给定的测试时间下，对所述晶体管加热；然后再改为...
该专利属于深圳市晶导电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市晶导电子有限公司授权不得商用。

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