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本发明提出了一种改进的外延生长方法和结构设计理念，能够大幅度稳定提高外延材料晶体质量和提升发光材料和器件的效率。该外延生长方法的特别之处在于，其前期生长过程先进行两次短暂生长，主要包括以下环节：（1）在反应室内，在400度至900度升温过程...该专利属于西安神光皓瑞光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安神光皓瑞光电科技有限公司授权不得商用。
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