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功率半导体装置制造方法及图纸
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文档序号:9494170
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提供一绝缘栅双极装置(1),其在发射极侧(22)上的发射极电极(2)和的集电极侧(27)上的集电极电极(25)之间具有按如下顺序的不同导电型的层:第一导电型的源极区(3),与接触区域(24)中的发射极电极(2)接触的第二导电型的基极层(4)...
该专利属于ABB技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过ABB技术有限公司授权不得商用。
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