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本发明涉及一种高效背接触晶体硅太阳能电池及其制作方法，通过在非受光面钝化层制作P型区通孔及N型区通孔，且所述同种类型的通孔位于同一直线上，不同类型的通孔所在的直线不存在交点，然后将正电极和负电极分别与P型区通孔和N型区通孔电气连接，将从P型...
该专利属于北京汉能创昱科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京汉能创昱科技有限公司授权不得商用。

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