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本发明提供了一种沟槽间形成空气间隔的方法：预先提供一半导体衬底，所述半导体衬底表面自下而上依次包括第一刻蚀终止层和图案化的光阻胶层，图案化的光阻胶层所显露区域定义沟槽的关键尺寸；在第一刻蚀终止层和图案化的光阻胶层表面沉积超低温氧化层，并对所...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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