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本发明提供了一种混合键合实现方法,包括如下步骤:(1)在衬底表面制作金属凸块;(2)在衬底表面涂覆介质层,覆盖所述金属凸块;(3)采用机械刮平的方式,处理衬底表面,使衬底表面金属凸块和介质层表面在一个平面上;(4)使采用以上方法制作的两层衬...该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种混合键合实现方法,包括如下步骤:(1)在衬底表面制作金属凸块;(2)在衬底表面涂覆介质层,覆盖所述金属凸块;(3)采用机械刮平的方式,处理衬底表面,使衬底表面金属凸块和介质层表面在一个平面上;(4)使采用以上方法制作的两层衬...