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半导体材料中的长纳米结构阵列及其方法技术
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文档序号:9467740
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本发明提供纳米线阵列及其方法。纳米线阵列包括多个纳米线。多个纳米线分别包括多个第一端和多个第二端。对于多个纳米线的每个,从多个第一端所选的对应第一端以及从多个第二端所选的对应第二端分开至少200μm的距离。多个纳米线的所有纳米线基本上相互平...
该专利属于阿尔法贝特能源公司所有,仅供学习研究参考,未经过阿尔法贝特能源公司授权不得商用。
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