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光电子器件具有光敏区域，所述光敏区域包含掺杂有稀土元素离子的半导体材料。与稀土掺杂剂离子的内部能量状态相关的特性跃迁通过那些状态与在半导体带结构中的能量状态的直接相互作用而被修改。Eu3+和Yb3+掺杂的硅LED和光电探测器被描述。所述LE...
该专利属于萨里大学所有，仅供学习研究参考，未经过萨里大学授权不得商用。

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