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用于发光装置的P型掺杂层制造方法及图纸
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下载用于发光装置的P型掺杂层的技术资料
文档序号:9467732
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一种发光二极管(LED),包括:n型III-V族半导体层、与所述n型III-V族半导体层相邻的有源层、以及与所述有源层相邻的p型III-V族半导体层。所述有源层包括一或多个V凹点。所述p型III-V族半导体层的部分在所述V凹点中。在所述p型...
该专利属于东芝技术中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过东芝技术中心有限公司授权不得商用。
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