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本发明公开了一种锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法，包括：由低掺杂N型外延工艺制备集电区，底部有重N型掺杂的低电阻埋层通道，在集电极有源区用高剂量中能量的N型离子注入形成集电极引出端；形成隔离区后直接进行表面清洗和较厚缓冲层的锗硅外延层的...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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