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本发明公开了一种能够提高垂直空腔的质量并改善垂直空腔性能的在LTCC基板上制备垂直空腔的方法。该方法先选取膜片A、薄膜B、膜片C；然后将薄膜B裁切成薄膜D；在膜片C上裁切并去掉与薄膜D长宽一致的部分；接着选取一定数量的膜片A逐一叠层，并在叠...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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