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一种阻变存储器的制备方法技术
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文档序号:9435541
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本发明公开了一种阻变存储器的制备方法,所述的阻变存储器包括依次组装的底电极、阻变介质层材料及顶电极,所述的阻变介质层材料的制备包括以下步骤:首先按顺序将第一前驱体、第一惰性气体、第二前驱体、第二惰性气体通入反应器中,经过热原子层沉积的一个循...
该专利属于浙江大学所有,仅供学习研究参考,未经过浙江大学授权不得商用。
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