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本发明公开了一种碳化硅IGBT基板骨架真空压力渗铝装置及双面覆铝方法。为了解决现有的碳化硅IGBT基板骨架覆铝存在的覆铝不均匀，铝合金层存在细孔影响质量等问题，所述碳化硅IGBT基板骨架真空压力渗铝装置包括置于真空压力浸渗炉内的陶瓷坩埚，设...
该专利属于湖南航天工业总公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南航天工业总公司授权不得商用。

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