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本发明公开了一种瞬态电压抑制器，包括：N型半导体衬底以及形成于N型半导体衬底上的P型外延层。齐纳二极管由形成于N型半导体衬底的表面的P+埋层和该P+埋层底部的N型半导体衬底组成。在P+埋层的正上方的P型外延层表面形成有一N+区，N+区和其底...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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