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本发明提供一种能够实现制造工艺简化以及不良品发生率降低的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具有如下工序：在基板上贴附第一层干膜（210），形成在厚度方向上贯通该干膜（210）的第一孔（212a），利用电镀处理在第一孔内形成第一柱电极...
该专利属于拉碧斯半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过拉碧斯半导体株式会社授权不得商用。

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