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本发明提供一种垂直偏置传感单元的制备方法，属于磁性材料与元器件技术领域，涉及磁传感技术。此制备方法包括在第一外磁场H1的作用下，采用薄膜沉积工艺制成磁传感单元，然后外加与外磁场H1的方向呈90度的第二外磁场H2，同时在该磁传感单元的薄膜表面...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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