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基于对于闪存的每个存储区域的劣化程度和读取频率，对于每个存储区域计算可靠性维持期；并且基于所计算的可靠性维持期，在每个存储区域上以计划的方式执行刷新。配置一种半导体存储装置100A，使得闪存120至128和存储器控制器110连接，并且闪存1...
该专利属于株式会社日立制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立制作所授权不得商用。

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