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本发明公开了一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置，其中具有电荷补偿结构，当半导体装置接一定的反向偏压时，第一导电半导体材料与第二导电半导体材料可以形成电荷补偿，提高器件的反向阻断特性；通过沟槽上部引入电极金属，可以降低半导体装置接反向偏压时肖特...
该专利属于朱江所有，仅供学习研究参考，未经过朱江授权不得商用。

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