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本发明公开了一种具有无源金属肖特基半导体装置，当半导体装置接一定的反向偏压时，漂移区的耗尽层在整个无源金属区界面扩展，并且在无源金属区间发生交叠，从而提高器件的反向击穿电压，降低器件的正向导通电阻，改善器件的正向导通特性。本发明还提供了一种...
该专利属于朱江所有，仅供学习研究参考，未经过朱江授权不得商用。

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