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一种全隔离结构的制作方法，包括：提供一个硅衬底；对硅衬底进行预处理，形成具有P型或N型中间硅层的复合层硅衬底；采用槽隔离工艺在复合层硅衬底中形成隔离槽，并在隔离槽内填充氧化层；刻蚀隔离槽内的部分氧化层，剩余部分氧化层的上表面与中间硅层顶部齐...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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