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本发明揭露一种形成具有贯穿硅通孔的散热件的方法，其中，半导体装置是用从背侧表面伸入半导体衬底的贯穿硅通孔予以形成以供改进式散热。具体实施例包含在衬底的背侧表面中形成凹洞，衬底在前侧表面上包含栅极堆栈，以及以导热材料填充凹洞。...
该专利属于新加坡商格罗方德半导体私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新加坡商格罗方德半导体私人有限公司授权不得商用。

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