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本发明公开了一种含有沟槽栅的深沟槽型超级结的栅沟槽的形成方法，包括步骤：在半导体衬底上形成硬掩膜；采用光刻工艺定义出深沟槽区域；将深沟槽区域的硬掩膜去除，以硬掩膜为阻挡层进行刻蚀形成多个交替排列的深沟槽；对深沟槽进行半导体材料填充；对半导体...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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