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在基板的周围引出MOSFET的栅极电极的栅极引出配线的引出部成为不能配置以与元件区域内同等的效率发挥作用的MOSFET的晶体管单元C的非工作区域。也就是说，如果将栅极引出配线例如沿着芯片的四个边配置，则非工作区域增加，从而在元件区域面积的扩...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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