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提供在高应力操作条件下电子电路保护的装置和方法。在一个实施方案中，一种装置包括衬底(47)，其具有第一p阱(44c)、邻近第一p阱的第二p阱(44b)，以及使第一p阱与第二p阱分离的n型区(46)。n型有源区(43b)在第一p阱上面并且p型...
该专利属于美国亚德诺半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国亚德诺半导体公司授权不得商用。

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