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本发明涉及一种离子阱分析器以及离子阱质谱分析方法，包括由多个电极围成的离子囚禁空间，至少一部分电极上施加有高频电压，用以在该囚禁空间中产生以二次场为主的囚禁电场。该装置在至少一个远离阱中央的方向上设有离子引出口，并在离子引出口一侧最靠近引出...
该专利属于株式会社岛津制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社岛津制作所授权不得商用。

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