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本实用新型涉及一种嵌入式非挥发性记忆体，其包括半导体基板及记忆体细胞，记忆体细胞包括没有轻掺杂区域的PMOS晶体管、控制电容和PMOS选择器晶体管；半导体基板的表面上淀积有栅介质层，栅介质层上设有浮栅电极，浮栅电极覆盖并贯穿没有轻掺杂区域的...
该专利属于无锡来燕微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡来燕微电子有限公司授权不得商用。

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